Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3

RS Stock No.:: 279-9900
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA112LDJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB222.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB237.69

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

6,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB22.214	THB222.14
50 - 90	THB16.599	THB165.99
100 - 240	THB14.728	THB147.28
250 - 990	THB14.403	THB144.03
1000 +	THB14.078	THB140.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SIA
	Package Type	SC-70-6L
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.119Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	15.6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.05mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SIA
	Package Type SC-70-6L
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.119Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 15.6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.05mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง