Vishay SIA Type P-Channel MOSFET, 9 A, 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 239-5368
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB326.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB348.975
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB13.046 | THB326.15 |
| 50 - 75 | THB12.794 | THB319.85 |
| 100 - 225 | THB9.78 | THB244.50 |
| 250 - 975 | THB9.581 | THB239.53 |
| 1000 + | THB5.936 | THB148.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5368
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PowerPAK SC-70 | |
| Series | SIA | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.032Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15.6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±8 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PowerPAK SC-70 | ||
Series SIA | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.032Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15.6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±8 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
The Vishay P channel MOSFET has drain current of -9 A. It is used for Load switches, battery switches, charger switches
100 % Rg tested
Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
Small footprint area
Low on-resistance
Typical ESD protection: 3000 V (HBM)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4371EDJ-T1-GE3
- Vishay SiA4263DJ Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4263DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L
- Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA437DJ-T1-GE3
