Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-SOT223
- RS Stock No.:
- 273-3016
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB179.29
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB191.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,990 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB17.929 | THB179.29 |
| 50 - 90 | THB15.175 | THB151.75 |
| 100 - 240 | THB14.102 | THB141.02 |
| 250 - 990 | THB13.833 | THB138.33 |
| 1000 + | THB13.564 | THB135.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3016
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-SOT223 | |
| Series | IPN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC Standard | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-SOT223 | ||
Series IPN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC Standard | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET complements the cool MOS 7 offering for consumer applications.
BOM cost reduction and easy manufacturing
Robustness and reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-SOT223 IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Infineon IPN MOSFET 3-Pin PG-SOT223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K4P7SATMA1
