Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Stock No.:
- 273-3010
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB221.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB237.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,490 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB22.192 | THB221.92 |
| 50 - 90 | THB18.742 | THB187.42 |
| 100 - 240 | THB17.442 | THB174.42 |
| 250 - 990 | THB17.116 | THB171.16 |
| 1000 + | THB16.792 | THB167.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3010
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET complements the cool MOS 7 offering for consumer applications. The products come with an integrated fast body diode ensuring a robust device. The fast body diode and Infineon's industry-leading SMD pac
BOM cost reduction and easy manufacturing
Robustness and reliability
Easy to select the right parts for design fine-tuning
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD046N08N5ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD047N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD60R600CM8XTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD020N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD95R1K2P7ATMA1