Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 99 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD030N03LF2SATMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB371.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB397.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 90THB37.111THB371.11
100 - 240THB35.28THB352.80
250 - 490THB32.657THB326.57
500 - 990THB30.084THB300.84
1000 +THB28.946THB289.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-429
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD030N03LF2SATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

99A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 3 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.

General purpose products

Excellent robustness

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง