Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB152.93

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB163.636

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB76.465THB152.93
50 - 98THB63.35THB126.70
100 - 248THB50.43THB100.86
250 - 498THB46.785THB93.57
500 +THB42.595THB85.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-3000
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPB65R660CFDAATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.66Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 650V cool MOS CFDA super junction MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage cool MOS power MOSFETs. In addition to the well known attributes of high quality and reliability required by the auto

Reduced EMI appearance and easy to design in

Better light load efficiency

Lower switching losses

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง