Infineon BSL606SN N-Channel MOSFET, 4.5 A, 60 V Enhancement, 6-Pin PG-TSOP-6 BSL606SNH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB23,220.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB24,840.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB7.74THB23,220.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-2853
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSL606SNH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

BSL606SN

Package Type

PG-TSOP-6

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

40mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

40mm

Height

1.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon BSL606SN Series MOSFET, 60V Maximum Drain-Source Voltage, 4.5A Maximum Continuous Drain Current - BSL606SNH6327XTSA1


This n-channel enhancement MOSFET is designed for surface-mounted power switching in automotive environments. It delivers moderate current handling and voltage capability with a low forward voltage characteristic, suitable for control and load-switching roles across a wide ambient range. The device is packaged for Compact assembly and meets automotive stress-test qualification for use in temperature-extreme applications.

Features and Benefits:


• 60V Maximum Drain-Source Voltage provides robust voltage headroom
• 4.5A Maximum Continuous Drain Current enables moderate current switching
• 1.1V Forward Voltage minimises conduction losses during operation
• 3.7nC Typical Gate Charge enables Faster switching response
• 2W Maximum Power Dissipation allows continuous thermal handling

Applications


• Suitable for automotive power distribution modules
• Ideal for DC load switching in control units
• Used with Compact surface assemblies requiring space savings
• Can be used for motor driver low-side switching tasks

What gate drive limitations should I consider?


The device accepts up to 20V between gate and source, so gate-drive circuits must remain within this limit.

How does the device handle temperature extremes?


It operates across a range from -55°C to 150°C, allowing use in harsh ambient and under‑bonnet conditions.

What mounting method is required for assembly?


It is intended for surface mounting in a PG-TSOP-6 package to suit automated PCB assembly.

What channel and mode does it use for switching?


The transistor uses an n-type channel in enhancement mode for conventional MOSFET switching behaviour.

Are there specific industry approvals for automotive use?


It conforms to AEC‑Q101 qualification for acceptance in automotive electronic applications.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง