Vishay SQ3583CEV N channel, P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3583CEV-T1_GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB19.31

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB20.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB19.31
25 - 99THB12.87
100 +THB6.44

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-343
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ3583CEV-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel, P-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

TSOP-6

Series

SQ3583CEV

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.077Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.67W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay Dual MOSFET designed for high-reliability applications. This component utilizes TrenchFET technology to provide efficient power management in a Compact TSOP-6 package.

Qualified for automotive use according to AEC-Q101 standards

Undergoes 100 % Rg and UIS testing to ensure robust performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง