Infineon IPB057N06N N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- RS Stock No.:
- 273-2998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB057N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*
THB330.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB353.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 945 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB66.072 | THB330.36 |
| 50 - 95 | THB61.404 | THB307.02 |
| 100 - 245 | THB53.986 | THB269.93 |
| 250 - 495 | THB52.198 | THB260.99 |
| 500 + | THB46.018 | THB230.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB057N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Series | IPB057N06N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Minimum Operating Temperature | -5°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 40mm | |
| Length | 40mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Series IPB057N06N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Minimum Operating Temperature -5°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.5mm | ||
Width 40mm | ||
Length 40mm | ||
Standards/Approvals JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial appl
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPB057N06N N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB020N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R099CFD7AATMA1