Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Stock No.:
- 273-2998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB057N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB282.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB301.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB56.40 | THB282.00 |
| 50 - 95 | THB52.416 | THB262.08 |
| 100 - 245 | THB46.084 | THB230.42 |
| 250 - 495 | THB44.558 | THB222.79 |
| 500 + | THB39.282 | THB196.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB057N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IPB057N06N | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimum Operating Temperature | -5°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 40mm | |
| Width | 40 mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IPB057N06N | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimum Operating Temperature -5°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 40mm | ||
Width 40 mm | ||
Standards/Approvals JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial appl
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R099CFD7AATMA1