Vishay SIJH N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 268-8324
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJH5700E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
ยอดรวมย่อย (2000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 2000)*
THB512,926.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB548,830.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB256.463 | THB512,926.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8324
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJH5700E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 174A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | SIJH | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0041Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 7.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 174A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series SIJH | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0041Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 7.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIJH N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- Vishay SIJH N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH602E-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH112E-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH600E-T1-GE3
- Vishay N-Channel 80 V N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH800E-T1-GE3
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
