Vishay SiJA Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 268-8322
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB102,108.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB109,257.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB34.036 | THB102,108.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8322
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 126A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SiJA | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0023Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.13mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 126A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SiJA | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0023Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.13mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It has flexible leads which provide resilience to mechanical stress. It is used an application as synchronous rectification, dc or ac inverters.
Optimizes switching characteristics
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiJA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay Type N-Channel MOSFET 80 V PowerPAK SO-8L
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHH26N60E-T1-GE3
- Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH240N60E-T1-GE3