Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3
- RS Stock No.:
- 268-8298
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG150N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*
THB2,874.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,075.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB114.978 | THB2,874.45 |
| 100 - 475 | THB94.205 | THB2,355.13 |
| 500 - 975 | THB80.229 | THB2,005.73 |
| 1000 + | THB72.35 | THB1,808.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8298
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG150N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SIHG | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.158Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SIHG | ||
Package Type TO-247AC | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.158Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay E series power MOSFET which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG085N60EF-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG155N60EF-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP150N60E-GE3
- STMicroelectronics STI28 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin I2PAK
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099C7XKSA1
- STMicroelectronics STI28 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin I2PAK STI28N60M2