IXYS HiperFET, X2-Class Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 168-4819
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFA22N65X2
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS HiperFET, X2-Class Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB7,595.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8,127.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB151.91	THB7,595.50
100 - 150	THB148.608	THB7,430.40
200 +	THB145.305	THB7,265.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-4819
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFA22N65X2
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-263
	Series	HiperFET, X2-Class
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	145mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	390W
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Length	10.41mm
	Width	11.05 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-263
	Series HiperFET, X2-Class
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 145mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 390W
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Length 10.41mm
	Width 11.05 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series

The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.

Very low RDS(on) and QG (gate charge)

Fast intrinsic rectifier diode

Low intrinsic gate resistance

Low package inductance

Industry standard packages

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS HiperFET, X2-Class Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง