Vishay SIHA N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIHA150N60E-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (2 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 2)*

THB315.61

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB337.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 998 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB157.805THB315.61
10 - 18THB142.56THB285.12
20 - 98THB139.62THB279.24
100 - 498THB116.62THB233.24
500 +THB98.975THB197.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
268-8288
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHA150N60E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHA

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.158Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHA Series MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 9A Continuous Drain Current - SIHA150N60E-GE3


This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for power switching in surface-mount applications. It operates across a broad temperature range and is intended for circuits requiring substantial voltage headroom and moderate continuous current. The device is supplied in a PowerPAK SO-8DC package suitable for compact board layouts.

Features and Benefits:


• 650V drain-to-source rating enables high-voltage switching
• 9A continuous drain current supports moderate power delivery
• 0.158Ω low Rds(on) reduces conduction losses
• 179W power dissipation allows elevated load handling
• 36nC typical gate charge provides predictable switching control
• ±30V gate tolerance permits robust gate-drive margins

Applications


• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for industrial motor drive switching stages
• Used for server and telecoms power-management modules
• Can be used for LED drivers requiring high-voltage switches
• Appropriate for inverter and UPS power stages

What mounting style does it require for PCB assembly?


It is a surface-mount device supplied in a PowerPAK SO-8DC package, designed for reflow soldering onto PCB land patterns compatible with SO-8DC footprints.

How does it behave in extended temperature environments?


The transistor is rated to operate from -55°C up to 150°C, permitting use in systems exposed to low ambient conditions and elevated internal heating.

What gate-drive constraints should be observed?


The gate-to-source voltage must not exceed ±30V, so gate drivers should be limited within those bounds to prevent gate-oxide stress.

What standard restricts hazardous substances in this component?


The device conforms to RoHS requirements, indicating restrictions on certain hazardous materials during manufacture.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง