Vishay Type N-Channel MOSFET, 218 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB202,062.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB216,207.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB67.354THB202,062.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
239-8616
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiDR626LEP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

218A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for solar micro inverter, motor drive switch and synchronous rectification.

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Very low resistance

UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง