Vishay SIDR N-Channel MOSFET, 227 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR626EP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 268-8285
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIDR626EP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB329.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB352.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 6 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB164.90 | THB329.80 |
| 50 - 98 | THB147.955 | THB295.91 |
| 100 - 248 | THB121.03 | THB242.06 |
| 250 - 998 | THB118.605 | THB237.21 |
| 1000 + | THB94.705 | THB189.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8285
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIDR626EP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 227A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC | |
| Series | SIDR | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00174Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 227A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK SO-8DC | ||
Series SIDR | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00174Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET has TOP side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.
Tuned for the lowest figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIDR N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR626EP-T1-RE3
- Vishay SiD N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIDR626EP-T1-RE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR500EP-T1-RE3
- Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4301DP-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR510EP-T1-RE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR5102EP-T1-RE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR570EP-T1-RE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR578EP-T1-RE3