Vishay SIDR Type N-Channel MOSFET, 227 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR626EP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB302.71

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB323.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 24 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB151.355THB302.71
50 - 98THB135.80THB271.60
100 - 248THB111.085THB222.17
250 - 998THB108.86THB217.72
1000 +THB86.925THB173.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
268-8285
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIDR626EP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

227A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIDR

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00174Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TW
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET has TOP side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.

Tuned for the lowest figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง