ROHM RX3P10BBH Type N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RX3P10BBHC16
- RS Stock No.:
- 266-3872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RX3P10BBHC16
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB150.93
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB161.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 970 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB150.93 |
| 50 - 99 | THB146.40 |
| 100 - 249 | THB140.54 |
| 250 - 499 | THB133.51 |
| 500 + | THB125.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 266-3872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RX3P10BBHC16
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | RX3P10BBH | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 189W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series RX3P10BBH | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 189W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power small mould package, suitable for switching.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RX3P10BBH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P10BBHTL1
- IXYS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB033N10N5LFATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP2907ZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-247