IXYS Type N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 168-4470
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH170N10P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB10,428.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB11,158.44
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB347.615 | THB10,428.45 |
| 60 - 90 | THB340.058 | THB10,201.74 |
| 120 + | THB332.501 | THB9,975.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4470
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH170N10P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 198nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 714W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.3 mm | |
| Length | 16.26mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 198nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 714W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.3 mm | ||
Length 16.26mm | ||
Height 21.46mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH110N10P
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP2907ZPBF
- IXYS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 3-Pin TO-247