N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH170N10P
- RS Stock No.:
- 168-4470
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH170N10P
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
17 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)
ราคา / Price Each (In a Tube of 30)
THB381.537
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB408.245
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
Units | ต่อหน่วย | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB381.537 | THB11,446.11 |
| 60 - 90 | THB373.242 | THB11,197.26 |
| 120 + | THB364.948 | THB10,948.44 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4470
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH170N10P
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Series | HiperFET, Polar |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 198 nC @ 10 V |
| Length | 16.26mm |
| Transistor Material | Si |
| Width | 5.3mm |
| Height | 21.46mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |