onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN FQA24N60

RS Stock No.:: 671-4929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQA24N60
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN FQA24N60

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB285.21

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB305.17

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 444 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 7	THB285.21
8 - 14	THB278.07
15 +	THB273.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-4929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQA24N60
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-3PN
	Series	QFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	240mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	310W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	110nC
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	15.8mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5 mm
	Height	18.9mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-3PN
	Series QFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 310W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 15.8mm
	Standards/Approvals No
	Width 5 mm
	Height 18.9mm
	Automotive Standard No

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN FQA24N60

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง