Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R022S7XKSA1
- RS Stock No.:
- 222-4924
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R022S7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB343.91
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB367.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 398 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB343.91 |
| 10 - 99 | THB333.60 |
| 100 - 249 | THB323.60 |
| 250 - 499 | THB313.90 |
| 500 + | THB304.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4924
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R022S7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP60R | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 390W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.57 mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Length | 10.36mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP60R | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 390W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.57 mm | ||
Height 9.45mm | ||
Length 10.36mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon design optimized for low conduction losses, the 600V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPP60R022S7) in TO-220 features the best RDS(on) x price for low switching frequency applications, such as active bridge rectifiers, inverter stages, in-rush relays, PLCs, HV DC lines, power solid state relays and solid state circuit breakers. The 600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET achieves higher energy efficiency and reduces BOM expenses.
Minimize conduction losses
Increase energy efficiency
More compact and easier designs
Eliminate or reduce heat sink in solid state design
Lower total cost of ownership (TCO) or bill-of-material (BOM) cost
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060C7XKSA1
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120P7XKSA1
- ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6055VNXC7G
- ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN FQA24N60