Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin Micro6 IRLMS1503TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB697.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB746.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
50 - 50THB13.949THB697.45
100 - 200THB12.559THB627.95
250 - 450THB12.313THB615.65
500 - 950THB11.414THB570.70
1000 +THB11.185THB559.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
262-6786
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-41-683
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLMS1503TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

Micro6

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

200mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power MOSFET well known for, provide the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low Rds

N-channel

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง