Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin Micro6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ เนื่องจากผู้ผลิตกำลังจะยกเลิกการผลิตสินค้านี้
RS Stock No.:
262-6785
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLMS1503TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

Micro6

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

200mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power MOSFET well known for, provide the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low Rds

N-channel

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง