Infineon MOSFET, 50 A, 2000 V AG-EASY3B DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB17,892.27

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB19,144.73

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 8 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 1THB17,892.27
2 - 2THB17,355.50
3 - 3THB16,661.28
4 - 4THB15,828.21
5 +THB14,878.52

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
260-1093
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Package Type

AG-EASY3B

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

26.5mΩ

Forward Voltage Vf

6.15V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET features a 4-leg boost configuration in one Easy 3B housing and comes with the latest CoolSiC M1H generation. The 2000 V SiC MOSFET shares the same performance and benefits as the 1200 V M1H series incl. 12% lower RDS(on) at 125° C, wider gate source voltage area for higher flexibility, a maximum junction temperature of 175° C and smaller chip sizes.

High current density

Low inductive design

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง