Infineon MOSFET, 50 A, 2000 V AG-EASY3B
- RS Stock No.:
- 260-1092
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 8 ชิ้น)*
THB143,138.152
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB153,157.824
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 8 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 8 - 8 | THB17,892.269 | THB143,138.15 |
| 16 - 16 | THB16,997.645 | THB135,981.16 |
| 24 + | THB16,147.74 | THB129,181.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-1092
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 2000V | |
| Package Type | AG-EASY3B | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26.5mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 6.15V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V | ||
Package Type AG-EASY3B | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26.5mΩ | ||
Forward Voltage Vf 6.15V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET features a 4-leg boost configuration in one Easy 3B housing and comes with the latest CoolSiC M1H generation. The 2000 V SiC MOSFET shares the same performance and benefits as the 1200 V M1H series incl. 12% lower RDS(on) at 125° C, wider gate source voltage area for higher flexibility, a maximum junction temperature of 175° C and smaller chip sizes.
High current density
Low inductive design
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon MOSFET 2000 V AG-EASY3B DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Infineon FS3L100R07W3S5B11BPSA1 Single IGBT Module, 100 A 650 V AG-EASY3B
- Infineon F3L400R07W3S5B59BPSA1 Triple Parallel IGBT Module, 400 A 650 V AG-EASY3B
- Infineon FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 IGBT Module PCB Mount
- Infineon F3L500R12W3H7H20BPSA1 315 A 1200 V AG-EASY3B, Through Hole
- Infineon Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY3B
- Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY3B FF2MR12W3M1HB11BPSA1
