Infineon IQE N-Channel MOSFET, 205 A, 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN IQE013N04LM6CGSCATMA1
- RS Stock No.:
- 260-1077
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (2 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 2)*
THB236.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB253.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB118.365 | THB236.73 |
| 10 - 98 | THB106.575 | THB213.15 |
| 100 - 248 | THB95.92 | THB191.84 |
| 250 - 498 | THB86.22 | THB172.44 |
| 500 + | THB77.66 | THB155.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-1077
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 205A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IQE | |
| Package Type | WHTFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 9 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 205A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IQE | ||
Package Type WHTFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 9 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFETs allows the source potential to be connected to the PCB over the thermal pad which offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. It also have the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management which are benefits at the system level.
Enabling highest power density and performance
Superior thermal performance
Optimized layout possibilities
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IQE N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN
- Infineon IQE N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WHSON
- Infineon IQE N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WHSON IQE013N04LM6SCATMA1
- Infineon IQE N-Channel MOSFET 40 V TTFN
- Infineon IQE N-Channel MOSFET 40 V TTFN IQE013N04LM6CGATMA1
- Infineon IQE N-Channel MOSFET, 205 A TSON
- Infineon IQE N-Channel MOSFET, 205 A TSON IQE013N04LM6ATMA1
- Infineon IQE N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin WHSON