Infineon IQE N-Channel MOSFET, 205 A, 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN IQE013N04LM6CGSCATMA1

RS Stock No.:: 260-1077
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE013N04LM6CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IQE N-Channel MOSFET, 205 A, 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN IQE013N04LM6CGSCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 9%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB236.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB253.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
2 - 8	THB118.365	THB236.73	-
10 - 98	THB106.575	THB213.15	9%
100 - 248	THB95.92	THB191.84	18%
250 - 498	THB86.22	THB172.44	27%
500 +	THB77.66	THB155.32	34%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 260-1077
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE013N04LM6CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	205A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	WHTFN
	Series	IQE
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.35mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 205A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type WHTFN
	Series IQE
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.35mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE013N04LM6CGSCATMA1

Infineon IQE Series MOSFET, 40V Maximum Drain-Source Voltage, 205A Maximum Continuous Drain Current - IQE013N04LM6CGSCATMA1

This n-channel enhancement MOSFET is a surface-mount power device designed for high-current switching in Compact assemblies. It operates across a wide temperature range for harsh environments and provides a low on-state resistance for efficient power conversion. The device is supplied in a WHTFN package with multiple pins to support thermal and current handling in dense layouts.

Features and Benefits:

• 1.35mΩ Rds(on) reduces conduction losses and improves efficiency
• 205A continuous current supports heavy-load power switching
• 40V drain-source voltage enables mid-voltage system use
• 1V forward voltage lowers losses in diode conduction paths
• -55°C to +175°C operation extends use in extreme temperatures

Applications

• Suitable for DC-DC converters in power management systems
• Ideal for high-current motor-drive stages in Compact modules
• Used with power distribution arrays requiring low resistance
• Can be used for battery protection and high-current switching

What package type does it use and why is that relevant?

It is supplied in a WHTFN package which aids surface-mount assembly and supports thermal dissipation through multiple pins.

How does the channel configuration affect switching?

The device uses an n-channel enhancement mode, enabling low-side switching with low gate-drive requirements for efficient control.

Is it intended for automotive standards compliance?

It is not specified as meeting automotive standards and should be evaluated for vehicle-grade use accordingly.