Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 205 A TSON IQE013N04LM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 258-3921
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE013N04LM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB145.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB155.632
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,854 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB72.725 | THB145.45 |
| 10 - 98 | THB70.545 | THB141.09 |
| 100 - 248 | THB67.725 | THB135.45 |
| 250 - 498 | THB64.34 | THB128.68 |
| 500 + | THB60.48 | THB120.96 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3921
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE013N04LM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 205A | |
| Package Type | TSON | |
| Series | IQE | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 205A | ||
Package Type TSON | ||
Series IQE | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS power-MOSFET is best-in-class power MOSFET optimizes the end user experience by challenging the status quo in power density and form factor. One target in power tool design is to minimize the internal restrictions of PCB area requirements, enabling a more ergonomic design. Moving the inverter from the handle into the head minimizes the volume of the power tool motor housing while simultaneously keeping the torque of the tool at a reasonably high level for quick and easy action.
superior thermal performance in RthJC
Optimized layout possibilities
Standard and centre-gate footprint
High current capability
More efficient use of PCB area
Highest power density and performance
Optimized footprint for MOSFET parallelization with Centre-Gate
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 205 A TSON
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WHSON
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V TTFN
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WHSON IQE013N04LM6SCATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin WHTFN IQE013N04LM6CGSCATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 40 V TTFN IQE013N04LM6CGATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN