Infineon HEXFET MOSFET, 8.7 A, 150 V, 5-Pin TO-220 IRFI4019H-117PXKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB208.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB222.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB104.15THB208.30
10 - 18THB101.03THB202.06
20 - 28THB95.97THB191.94
30 - 38THB89.25THB178.50
40 +THB81.225THB162.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-3974
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFI4019H-117PXKMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon digital audio MOSFET half-bridge is specifically designed for class D audio amplifier applications. It consists of two power MOSFET switches connected in half-bridge configuration. The latest process is used to achieve low on-resistance per silicon area. Further more, gate charge, body-diode reverse recovery, and internal gate resistance are optimized to improve key class D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. These combine to make this half-bridge a highly efficient, robust and reliable device for Class D audio amplifier applications.

Low RDS(on)

Dual N-Channel MOSFET

Integrated Half Bridge package

Low Qrr

Environmentally friendly

High power density

Integrated design

Board savings

Low EMI

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง