Infineon IPD N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1

RS Stock No.:: 229-1836
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD90N04S4L04ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB54,317.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB58,120.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB21.727	THB54,317.50
5000 - 5000	THB20.891	THB52,227.50
7500 +	THB20.626	THB51,565.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 229-1836
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD90N04S4L04ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	46nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	71W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	2.3mm
	Length	6.5mm
	Width	6.22mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-252
	Series IPD
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 71W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 2.3mm
	Length 6.5mm
	Width 6.22mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD90N04S4L04ATMA1

Infineon IPD Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 90A Maximum Continuous Drain Current - IPD90N04S4L04ATMA1

This MOSFET is a semiconductor switch designed for high-current DC applications and surface-mount assembly, supporting extended temperature operation and automotive qualification for use in demanding environments.

Features and Benefits:

• Maximum drain current of 90 A enables high-load switching capacity
• Low Rds(on) of 3.8 mΩ reduces conduction losses during operation
• Maximum power dissipation of 71 W supports sustained thermal load
• Gate charge of 46 nC allows predictable switching behaviour
• Drain-source voltage rating of 40 V protects against common voltage transients
• Forward diode voltage of 1.3 V limits drop during reverse conduction

Applications

• Suitable for electric motor drive stages in vehicles
• Ideal for high-current DC-DC converter outputs
• Used with power distribution modules in automotive electronics
• Can be used for synchronous rectification in power supplies
• Appropriate for battery management and charging circuits

What temperature range can this component tolerate in harsh use?

It operates reliably from −55 °C up to 175 °C.

How is it packaged for PCB assembly and board-level mounting?

It is supplied in a TO-252 surface-mount package for direct soldering.

What gate voltage extremes should be avoided to prevent damage?

Gate-to-source voltage must not exceed ±20 V to preserve gate integrity.

How many electrical connections does it present to the board?

It provides three pins for drain, gate and source connections on the PCB.