Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 229-1836
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB54,317.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB58,120.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 12,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB21.727 | THB54,317.50 |
| 5000 - 5000 | THB20.891 | THB52,227.50 |
| 7500 + | THB20.626 | THB51,565.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1836
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 71W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22 mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 71W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22 mm | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon n channel normal level power MOSFET used for automotive applications. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is robust packages with superior quality and reliability.
It is RoHS compliant and AEC qualified
It has 175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD048N06L3GATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N10S406ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S405ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P405ATMA2