Infineon IPD N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V N TO-252 IPD220N06L3GATMA1

RS Stock No.:: 258-3836
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD220N06L3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V N TO-252 IPD220N06L3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB28,175.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,150.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB11.27	THB28,175.00
5000 - 5000	THB10.143	THB25,357.50
7500 +	THB9.129	THB22,822.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3836
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD220N06L3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	39.80mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-252
	Series IPD
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 39.80mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD220N06L3GATMA1

Infineon IPD Series MOSFET, 60V Maximum Drain-Source Voltage, 30A Maximum Continuous Drain Current - IPD220N06L3GATMA1

This MOSFET is a surface‑mount N‑channel transistor designed for power switching in demanding thermal environments. It combines a moderate voltage rating with substantial continuous current capability, making it suitable for applications that need efficient conduction and Compact mounting. The device complies with RoHS standards and is offered in a TO‑252 package for straightforward PCB assembly.

Features and Benefits:

• 39.8mΩ RDS(on) delivering reduced conduction losses
• 1.2V forward voltage enabling efficient gate‑driven switching
• -55°C to +175°C operating range supporting wide temperature extremes
• 60V drain-source rating allowing robust voltage headroom
• 30A continuous drain current supporting high‑current loads

Applications

• Suitable for DC power distribution modules
• Ideal for motor driver switching stages
• Used with battery management circuits requiring surface mounting
• Can be used for synchronous rectification in converters
• Suitable for high‑current load switching on Compact PCBs

What package type is provided for PCB assembly?

The device is supplied in a TO‑252 surface‑mount package suited to reflow processes.

Which channel polarity does it employ for control circuits?

It uses an N‑channel configuration for low‑side or high‑side switching topologies depending on circuit design.

Is it intended for automotive qualification?

It is not designated as an automotive‑standard device but meets RoHS environmental requirements.

What mounting style is appropriate for this component?

The transistor is intended for surface mounting to permit low‑profile board layouts.

What is the maximum operating temperature specified?

The component is rated to operate up to +175°C.