Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 118 A, 100 V N TO-252 IPD052N10NF2SATMA1
- RS Stock No.:
- 259-2604
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD052N10NF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB325.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB348.22
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,975 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB65.088 | THB325.44 |
| 10 - 95 | THB58.548 | THB292.74 |
| 100 - 245 | THB52.746 | THB263.73 |
| 250 - 495 | THB47.416 | THB237.08 |
| 500 + | THB42.696 | THB213.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-2604
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD052N10NF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 118A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 118A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFETs are optimized for a broad range of applications like SMPS, motor drive, battery powered, battery management, UPS, and light electric vehicles. This new technology offers up to 40 percent RDS(on) improvement and up to 60 percent lower Qg compared to the previous StrongIRFET devices, translating into higher power efficiency for improved overall system performance. Increased current ratings allow for higher current carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices translating to lower BOM costs and board savings.
Broad availability from distribution partners
Excellent price/performance ratio
Ideal for high and low switching frequencies
Industry standard footprint through-hole package
High current rating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-252