Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L04ATMA2
- RS Stock No.:
- 258-3817
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80P04P4L04ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB86,697.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB92,766.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB86.697 | THB86,697.00 | - |
| 2000 - 2000 | THB84.096 | THB84,096.00 | 3% |
| 3000 + | THB80.732 | THB80,732.00 | 6% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3817
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80P04P4L04ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L04ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P405ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P407ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L08ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-263 IPB120P04P404ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 800 V Enhancement TO-263 IPB80R290C3AATMA2