Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement TO-263
- RS Stock No.:
- 258-3797
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120P04P404ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB77,387.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB82,804.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB77.387 | THB77,387.00 |
| 2000 - 2000 | THB69.648 | THB69,648.00 |
| 3000 + | THB62.683 | THB62,683.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3797
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120P04P404ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB120P04P404ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120P04P4L03ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 800 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 800 V Enhancement TO-263 IPB80R290C3AATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P405ATMA2