Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 17 A, 800 V Enhancement TO-263
- RS Stock No.:
- 258-3824
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80R290C3AATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB104,150.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB111,440.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB104.15 | THB104,150.00 |
| 2000 - 2000 | THB101.026 | THB101,026.00 |
| 3000 + | THB96.985 | THB96,985.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3824
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80R290C3AATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolMOS C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.
Best-in-class quality and reliability
Higher breakdown voltage
High peak current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 800 V Enhancement TO-263 IPB80R290C3AATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P405ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P407ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L04ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L08ATMA2
