Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L08ATMA2
- RS Stock No.:
- 258-3823
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80P04P4L08ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB143.87
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB153.94
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 910 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB71.935 | THB143.87 |
| 10 - 98 | THB64.875 | THB129.75 |
| 100 - 248 | THB52.105 | THB104.21 |
| 250 - 498 | THB43.03 | THB86.06 |
| 500 + | THB35.635 | THB71.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3823
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80P04P4L08ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
Simple interface drive circuit
World's lowest RDSon at 40V
Highest current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P405ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P407ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L04ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB120P04P404ATMA2
