Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8.3 A, 30 V TSOP-6 IRLTS6342TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9467
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLTS6342TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB310.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB332.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,825 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB12.422 | THB310.55 |
| 50 - 75 | THB11.801 | THB295.03 |
| 100 - 225 | THB10.621 | THB265.53 |
| 250 - 975 | THB9.028 | THB225.70 |
| 1000 + | THB7.222 | THB180.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9467
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLTS6342TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-555 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-40-555 | ||
The Infineon IRLTS series is the 30V single n channel strong IRFET mosfet in a TSOP 6 (Micro 6) package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
High current carrying capability in a small package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V TSOP-6
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5802TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5803TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRF5801TRPBF
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247