Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement TO-252 IRLR3110ZTRPBF

RS Stock No.:: 257-9453
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLR3110ZTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement TO-252 IRLR3110ZTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB225.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB241.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,265 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB45.15	THB225.75
50 - 95	THB43.796	THB218.98
100 - 245	THB42.044	THB210.22
250 - 995	THB39.942	THB199.71
1000 +	THB37.546	THB187.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 257-9453
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLR3110ZTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	63A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	16mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 63A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRLR3110ZTRPBF

Infineon HEXFET Series MOSFET, 100V Maximum Drain‑Source Voltage, 63A Maximum Continuous Drain Current - IRLR3110ZTRPBF

This MOSFET is a through‑hole power transistor designed for switching and power‑management roles in circuits requiring high current handling and elevated temperature endurance. It operates as an N‑channel enhancement device rated for medium‑voltage applications and is intended for installations where a TO‑252 package and straightforward PCB mounting are preferred.

Features and Benefits:

• 16mΩ Rds(on) reduces conduction losses during high current flow
• 100V Vds supports medium‑voltage switching applications
• 63A continuous drain current enables sustained heavy‑load operation
• -55°C to +175°C temperature range permits high‑temperature deployment
• 1.3V forward gate voltage allows efficient gate‑drive performance

Applications

• Suitable for DC power conversion stages in industrial equipment
• Ideal for motor‑drive switching in Compact assemblies
• Used with power supplies requiring high current throughput
• Can be used for battery management in high‑load systems
• Appropriate for thermal‑stress testing fixtures and rigs

What package type does it use for board mounting?

It is supplied in a TO‑252 package configured for through‑hole mounting, facilitating mechanical stability and heat dissipation.

What channel behaviour should designers expect?

It functions as an enhancement‑mode N‑channel transistor, requiring a positive gate‑to‑source drive for conduction.

How does temperature capability affect deployment?

The device is specified to operate across a -55°C to +175°C span, allowing use in environments with substantial thermal variation.

Is this component suitable for automotive‑standard projects?

The part is not designated to automotive standards and should not be assumed to meet those specific qualification criteria.