Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V Enhancement TO-252 IRFR4615TRLPBF

RS Stock No.:: 257-5867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR4615TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V Enhancement TO-252 IRFR4615TRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB247.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB265.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,865 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB49.55	THB247.75
50 - 95	THB48.064	THB240.32
100 - 245	THB46.14	THB230.70
250 - 995	THB43.836	THB219.18
1000 +	THB41.208	THB206.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 257-5867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR4615TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	PCB
	Maximum Drain Source Resistance Rds	42mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	144W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type PCB
	Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 144W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR4615TRLPBF

Infineon HEXFET Series MOSFET, 150V Maximum Drain-Source Voltage, 33A Maximum Continuous Drain Current - IRFR4615TRLPBF

This MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement-mode transistor designed for PCB mounting in power switching roles. It handles substantial continuous current while operating across a wide ambient temperature range and is suitable where controlled gate drive and thermal management are required.

Features and Benefits:

• 42mΩ Rds(on) reduces conduction losses
• 150V Vds enables high-voltage switching
• 33A continuous current supports heavy loads
• 144W power dissipation allows sustained operation
• 26nC gate charge permits responsive switching

Applications

• Suitable for high-voltage DC-DC converters
• Ideal for power switching in inverters
• Used with motor-drive stages requiring high current
• Can be used for telecoms power supplies
• Suitable for industrial power management modules

What gate drive limits must be observed?

The gate-to-source rating is ±20V so gate drive amplitudes must remain within that range to avoid damage.

How does thermal performance affect mounting choices?

With a 144W dissipation rating, effective PCB copper areas or heatsinking are required to manage junction temperatures during sustained load.

What temperature extremes can the device tolerate?

It operates over a range from -55°C up to 175°C, allowing use in environments with wide thermal variation.

Is this component suitable for automotive qualification?

It is not specified as automotive-grade

conformity noted is RoHS only.