Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 62 A, 200 V TO-263 IRFS4227TRLPBF
- RS Stock No.:
- 257-9431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4227TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB230.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB246.368
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- 796 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB115.125 | THB230.25 |
| 10 - 48 | THB103.28 | THB206.56 |
| 50 - 98 | THB101.25 | THB202.50 |
| 100 - 248 | THB89.03 | THB178.06 |
| 250 + | THB87.175 | THB174.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4227TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 200V single n channel HEXFET power mosfet PDP Switch in a D2 Pak package.
Advanced process technology
Key parameters optimized for PDP sustain, energy recovery and pass switch applications
Low E pulse rating to reduce power
Dissipation in PDP sustain, energy recovery and pass switch applications
Low QG for fast response
High repetitive peak current capability for
Reliable operation
Short fall & rise times for fast switching
175°C operating junction temperature for improved ruggedness
Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2614
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220 IRFB4510PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-252 IRFR48ZTRLPBF
