onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 62 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2614
- RS Stock No.:
- 759-8967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDB2614
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB161.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB172.61
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,740 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 199 | THB161.32 |
| 200 - 399 | THB157.28 |
| 400 + | THB154.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 759-8967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDB2614
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 260W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 11.33 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 260W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 11.33 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP2614
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263