onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 62 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2614
- RS Stock No.:
- 166-2541
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDB2614
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB100,540.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB107,577.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | THB125.675 | THB100,540.00 | - |
| 1600 - 2400 | THB121.904 | THB97,523.20 | 3% |
| 3200 + | THB118.247 | THB94,597.60 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-2541
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDB2614
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 260W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 11.33mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 260W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Width 11.33mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2614
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP2614
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTBS2D7N06M7
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2572
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2552
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2710