Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -12 A, -30 V SO-8 IRF9388TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9336
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9388TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB219.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB234.43
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,430 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB21.909 | THB219.09 |
| 50 - 90 | THB20.814 | THB208.14 |
| 100 - 490 | THB18.733 | THB187.33 |
| 500 - 1990 | THB15.923 | THB159.23 |
| 2000 + | THB12.739 | THB127.39 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9336
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9388TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.9mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.9mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the -30V p channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7313TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH3707TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SO-8 IRF6644TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-220
