Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V Enhancement SO-8 IRF6644TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9296
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6644TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB254.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB272.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,470 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB127.36 | THB254.72 |
| 50 - 98 | THB114.715 | THB229.43 |
| 100 - 498 | THB92.75 | THB185.50 |
| 500 - 1998 | THB76.99 | THB153.98 |
| 2000 + | THB65.46 | THB130.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9296
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6644TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
High current rating
Dual side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package
100 percent lead free (No RoHS exemption)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V SO-8
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 IRF3710STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3710PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP3710PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
