Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*

THB198,350.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB212,236.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4800 +THB41.323THB198,350.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
257-9295
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF6644TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

High current rating

Dual side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package

100 percent lead free (No RoHS exemption)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง