Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8 IRF7313TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9301
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7313TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB175.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB187.97
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB17.567 | THB175.67 |
| 50 - 90 | THB17.216 | THB172.16 |
| 100 - 490 | THB13.471 | THB134.71 |
| 500 - 1990 | THB10.646 | THB106.46 |
| 2000 + | THB8.50 | THB85.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9301
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7313TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 46mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Forward Voltage Vf | 0.78V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 46mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Forward Voltage Vf 0.78V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 30V dual n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.
RoHS compliant
Low RDS(on)
Dynamic dv/dt rating
Fast switching
Dual n channel mosfet
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V SO-8 IRF9388TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin Micro6
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SO-8 IRF6644TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin Micro6 IRLMS2002TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
