Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB1,429.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,529.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 625 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
25 - 25THB57.18THB1,429.50
50 - 75THB55.938THB1,398.45
100 +THB54.695THB1,367.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-4918
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFP3710PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-247

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

20.3mm

Width

5.3 mm

Standards/Approvals

No

Length

15.9mm

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 57A Maximum Continuous Drain Current, 200W Maximum Power Dissipation - IRFP3710PBF


This MOSFET is designed for efficient power management in a variety of electronic applications. It features an N-channel configuration and handles high continuous drain current, ensuring effective performance even at elevated temperatures and exhibiting low on-resistance, making it suitable for industrial environments.

Features & Benefits


• High continuous drain current capability supports strong performance

• Maximum drain-source voltage of 100V increases versatility

• Low RDS(on) of 25mΩ minimises energy loss during operation

• High power dissipation capacity of 200W enables effective energy management

• Enhancement mode transistor allows for control over switching operations

• TO-247AC package facilitates easy integration in through-hole applications

Applications


• Ideal for power supply circuits

• Commonly found in motor control systems

• Suitable for automotive power management solutions

• Utilised in battery management systems

What is the maximum temperature for this device to operate?


The maximum operating temperature reaches up to +175°C, allowing efficient function in high-temperature environments.

How does this device handle high currents?


It supports a continuous drain current of 57A, enabling it to power high-demand applications without failure.

Can it be used in a through-hole design?


Yes, the TO-247AC package allows for through-hole mounting, simplifying integration into various circuit boards.

What kind of load can this MOSFET switch?


This device can manage significant loads due to its high power dissipation of 200W, suitable for heavy-duty applications.

Is it compatible with standard gate voltages?


Yes, it operates effectively with a gate threshold voltage between 2V and 4V, ensuring compatibility with various drive circuits.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง