Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V, 3-Pin TO-263 IRF3710STRLPBF
- RS Stock No.:
- 218-3096
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-39-414
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3710STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB459.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB492.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | THB45.98 | THB459.80 |
| 200 - 390 | THB44.83 | THB448.30 |
| 400 + | THB44.141 | THB441.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3096
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-39-414
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3710STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.8W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 86.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.65 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | EIA 418 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.8W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.65 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals EIA 418 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series N-channel power MOSFET. The HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Lead-Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3710PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V SO-8 IRF6644TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP3710PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247