Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V TO-252 AUIRFR8403TRL
- RS Stock No.:
- 258-0632
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR8403TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB120,132.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB128,541.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 ตุลาคม 2571 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB40.044 | THB120,132.00 | - |
| 6000 - 6000 | THB38.843 | THB116,529.00 | 2% |
| 9000 + | THB37.289 | THB111,867.00 | 6% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-0632
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR8403TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.1mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 99W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.1mΩ | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 99W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Specifically designed for automotive applications, this HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in automotive applications and wide variety of other applications.
Advanced Process Technology
New Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free, RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V TO-252 AUIRFR8403TRL
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V TO-252 IRLR6225TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V TO-252 IRLR3114ZTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V TO-252 IRFR7446TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V, 4-Pin TO-220 IRF1104PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-252 IRFR120NTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-252 IRLR3110ZTRLPBF