Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.6 A, 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 165-5560
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFL4315TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.6 A, 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB28,905.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,927.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB11.562	THB28,905.00
5000 - 7500	THB11.215	THB28,037.50
10000 +	THB10.878	THB27,195.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5560
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFL4315TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	SOT-223
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	185mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.8mm
	Length	6.7mm
	Width	3.7 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type SOT-223
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 185mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.8mm
	Length 6.7mm
	Width 3.7 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MY

Infineon HEXFET Series MOSFET, 2.6A Maximum Continuous Drain Current, 2.8W Maximum Power Dissipation - IRFL4315TRPBF

This MOSFET is suitable for power applications, delivering solid performance and enhanced reliability in various environments. As a key component in switching applications, it enables efficient control of power delivery. Its surface mount design makes it a good fit for high-performance circuits that require low gate-to-drain charge, minimising switching losses, which is beneficial for users in the automation and electronics industries.

Features & Benefits

• Continuous drain current rating of 2.6A accommodates a range of applications

• Maximum drain-source voltage of 150V facilitates high-power operations

• Low Rds(on) of 185mΩ improves energy efficiency

• Operating temperature range from -55°C to +150°C supports dependable performance

• Gate threshold voltage is optimised for easier circuit design

• Fully characterised avalanche characteristics provide additional protection

Applications

• High-frequency DC-DC converters

• Power management systems for improved efficiency

• Switching power supplies for enhanced performance

What is the significance of the low Rds(on) value?

A low Rds(on) reduces power losses during operation, improving overall efficiency across multiple applications.

How does the wide temperature range affect usage?

The wide operating temperature range ensures reliable performance in extreme conditions, making it suitable for diverse environments.

Can it be used in both high and low-frequency applications?

Yes, it accommodates both high-frequency DC-DC converters and applications requiring low-frequency switching.

What should be considered for installation?

Proper circuit layout and thermal management should be taken into account to optimise performance during installation.

How does the gate threshold voltage impact circuit design?

The gate threshold voltage allows for better control over switching behaviour, facilitating easier design of the driving circuit.