Vishay Type P-Channel MOSFET, 1.1 A, 50 V, 3-Pin HVMDIP IRFD9010PBF
- RS Stock No.:
- 256-7283
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFD9010PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB266.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB285.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 295 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB53.29 | THB266.45 |
| 10 - 20 | THB47.642 | THB238.21 |
| 25 - 45 | THB46.676 | THB233.38 |
| 50 - 70 | THB45.704 | THB228.52 |
| 75 + | THB44.82 | THB224.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7283
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFD9010PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Package Type | HVMDIP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Package Type HVMDIP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor P-channel mosfet HVMDIPs are intended for use in power stages where complementary symmetry with n-channel devices offers circuit simplification. The efficient geometry and unique processing of the HVMDIP design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
For automatic insertion
Compact, end stackable
Fast switching
Low drive current
Easy paralleled
Excellent temperature stability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type P-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD9014 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
- Vishay Type P-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin TO-252
- Vishay Type P-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin TO-252 IRFR9010TRPBF
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMP6A13F Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXMP6A13FTA
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXM61P03FTA
