MPN

Vishay Type P-Channel MOSFET, 1.1 A, 50 V, 3-Pin HVMDIP

RS Stock No.:: 256-7282
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFD9010PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Type P-Channel MOSFET, 1.1 A, 50 V, 3-Pin HVMDIP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 100 ชิ้น)*

THB2,723.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,914.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

200 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
100 - 400	THB27.235	THB2,723.50
500 - 900	THB22.31	THB2,231.00
1000 - 2400	THB17.605	THB1,760.50
2500 +	THB16.525	THB1,652.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 256-7282
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFD9010PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	50V
	Package Type	HVMDIP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 50V
	Package Type HVMDIP
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFD9010PBF

The Vishay Semiconductor P-channel mosfet HVMDIPs are intended for use in power stages where complementary symmetry with n-channel devices offers circuit simplification. The efficient geometry and unique processing of the HVMDIP design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

For automatic insertion

Compact, end stackable

Fast switching

Low drive current

Easy paralleled

Excellent temperature stability

Vishay Type P-Channel MOSFET, 1.1 A, 50 V, 3-Pin HVMDIP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง